网讯：据Anandtech报道，SK hynix日前发布了其最新一代的3D NAND。据介绍，新产品具有176层电荷charge trap单元。在美光宣布他们的176L NAND开始以Crucial品牌产品发货之后，SK hynix是第二家达到这一层数的NAND制造商。
这是SK hynix的第三代产品，其PUC（Periphery under Cell）设计的特点是通过在存储器单元阵列下放置外围逻辑来减小芯片尺寸，类似于英特尔和美光的CMOS下阵列设计。（SK hynix将这种管芯布局及其charge trap闪存单元的组合称为“ 4D NAND”。）这一代的变化包括位生产率提高了35％（仅比理论上从128层增长到176层时的值稍低），单元读取速度提高20％。NANDdie和SSD控制器之间的最大IO速度已从128L NAND的1.2GT / s增加到176L NAND的1.6GT / s。
SK海力士已开始向SSD控制器公司提供512Gbit TLC部件的样品，以开发兼容的固件。SK hynix计划首先将其176L NAND用于移动产品（即UFS模块），该产品将在明年中期左右推出，其读取速度提高70％，写入速度提高35％。然后，消费者和企业级固态硬盘将跟进移动产品。SK海力士还计划基于其176L工艺推出1Tbit模具。
根据该公告，SK hynix在即将到来的3D NAND时代将具有相当的竞争力。它们的运行时间可能比美光的计划稍晚一些，但美光将其128升的产品用作小容量测试工具之后，一直在寻求异常快速的过渡到176升，以解决因从floating gate转换为charge trap设计而引起的任何问题。
同时，英特尔的144L NAND芯片将于明年年初上市，而Kioxia / Western Digital 112L NAND芯片也将随时出现。三星的128L NAND几个月前开始在980 PRO中发货。虽然他们尚未正式宣布其下一代规格，但预计明年春季将开始生产，其层数约为176L，并将成为三星的首款使用string stacking的技术的产品。